SK海力士或将于2月开始量产1c DRAM
MoneyToday 在之前的报道中透露，SK 海力士最快将于 2 月成为全球第一家使用 1c 工艺大规模生产 DRAM 的公司。根据该报告，SK 海力士最近完成了 1c DDR5 的量产认证。
三星的 HBM4 生产面临潜在的延迟
然而，消息人士告诉 MoneyToday，虽然三星在 2024 年底获得了其首款功能齐全的 1c DRAM 芯片，但它未能达到目标良率，通常为 60-70% 的量产准备。
值得注意的是，报告补充说，由良率问题引起的延迟也可能影响三星计划在 2025 年下半年量产的 HBM4。
根据该报告，该行业通常认为每一代的开发周期为 18 个月。虽然三星于 2022 年 12 月开发了第 5 代 10 纳米级 (1b) DRAM，并于 2023 年 5 月宣布量产，但此后一直没有关于其 1c DRAM 进展的消息。
上海油压工作室三星追赶的希望可能变得更加渺茫，因为其 HBM 的主要竞争对手似乎正在走上正轨。根据 ZDNet 此前的报道，SK 海力士计划最早在 2025 年 6 月向 NVIDIA 运送 HBM4 样品，预计第三季度末左右开始全面产品供应。MoneyToday 报告引发了人们的担忧，即 1c DRAM 开发的延迟肯定会影响三星的 HBM 计划。虽然 DDR5 是 1c 的核心产品，但 HBM 的开发通常稍后进行。正如 MoneyToday 所强调的那样，如果 1c DRAM 生产在 2025 年底开始，HBM4 的生产可能会进一步推迟到 2026 年。为避免最坏的情况，该报告表明三星正在对 1c DRAM 设计进行调整，并将尽最大努力加快开发过程。
