此次新成果基于天合光能首创的210×105 mm2大面积工业级磷掺杂直拉n型硅片衬底，结合优秀的薄膜钝化技术、背面全钝化异质结技术、多频率射频技术对电池性能进行了全面提升。采用组件光陷阱技术、超高密度封装技术及超低电阻互联技术，使组件的光学、电学性能获得实质性突破。

天合光能董事长兼CEO、光伏科学与技术全国重点实验室主任高纪凡说，天合光能将持续加大对全钝化概念电池和组件的研发力度，保持组件技术的持续领先。

上海油压工作室这是近3个月内继两度刷新n型单晶硅TOPCon电池世界纪录和创造n型单晶硅HJT电池效率世界纪录之后，天合光能在正背面接触结构电池组件领域取得的技术突破，超过了全背接触(IBC)电池组件此前在单结晶体硅电池组件窗口效率25.4%的纪录，标志着天合光能在正背接触单结晶体硅太阳电池组件的性能研究方面达到世界最高水平。